希华成功研发业界最大 6 吋人工晶棒，领先布局高阶晶片应用

随着资通讯产品应用领域持续拓展，石英晶体技术在近 20 年快速朝向小型化与高频化发展。传统以 1 吋以下晶棒线切割成晶片，再经研磨、抛光与小片切割的製程方式，已难以满足新一代高阶产品对晶片性能的需求。

为因应市场趋势，石英晶体产业近年导入类半导体製程技术，包括镀膜、黄光与蚀刻等 MEMS 微机电加工，应用于人工水晶 wafer，加速实现产品小型化与高频化。随着技术成熟，MEMS wafer 尺寸自 2 吋、3 吋逐步提升至 4 吋，并正朝更大尺寸迈进，以追求最佳化的生产效益。

然而，wafer 尺寸放大不仅仰赖先进製程，更对材料品质提出严峻挑战。人工晶棒的生长并非仅靠延长生长天数即可提升尺寸与品质，而是必须依据不同尺寸设计对应的生产参数，才能确保晶体特性达到应用要求。尤其是大型晶棒所需的「晶种」更属关键核心材料，必须经过多次培育繁衍，方能孕育出符合标准的高品质晶种。

希华历经两年研发，于 2023 年 8 月成功完成首炉 6 吋人工晶棒生长，成为业界极少数具备 6 吋晶棒生长能力的厂商。该材料可应用于 TF、AT、ST 等多种规格角度的加工，并可延伸至超高频基板等先进应用，未来发展潜力庞大。希华将持续投入材料研发与製程优化，推动石英晶体产业技术升级，为全球高阶资通讯与电子应用提供更坚实的基础。

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