希華成功研發業界最大 6 吋人工晶棒，領先布局高階晶片應用

隨著資通訊產品應用領域持續拓展，石英晶體技術在近 20 年快速朝向小型化與高頻化發展。傳統以 1 吋以下晶棒線切割成晶片，再經研磨、拋光與小片切割的製程方式，已難以滿足新一代高階產品對晶片性能的需求。

為因應市場趨勢，石英晶體產業近年導入類半導體製程技術，包括鍍膜、黃光與蝕刻等 MEMS 微機電加工，應用於人工水晶 wafer，加速實現產品小型化與高頻化。隨著技術成熟，MEMS wafer 尺寸自 2 吋、3 吋逐步提升至 4 吋，並正朝更大尺寸邁進，以追求最佳化的生產效益。

然而，wafer 尺寸放大不僅仰賴先進製程，更對材料品質提出嚴峻挑戰。人工晶棒的生長並非僅靠延長生長天數即可提升尺寸與品質，而是必須依據不同尺寸設計對應的生產參數，才能確保晶體特性達到應用要求。尤其是大型晶棒所需的「晶種」更屬關鍵核心材料，必須經過多次培育繁衍，方能孕育出符合標準的高品質晶種。

希華歷經兩年研發，於 2023 年 8 月成功完成首爐 6 吋人工晶棒生長，成為業界極少數具備 6 吋晶棒生長能力的廠商。該材料可應用於 TF、AT、ST 等多種規格角度的加工，並可延伸至超高頻基板等先進應用，未來發展潛力龐大。希華將持續投入材料研發與製程優化，推動石英晶體產業技術升級，為全球高階資通訊與電子應用提供更堅實的基礎。

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